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IBM 和三星宣布新晶体管结构与 FinFET 相比可节省

发布时间:2022-09-20 01:18:48 来源:火狐体育网址比赛 作者:火狐体育网址登陆

内容简介:  IBM 和韩国三星电子于当地时间 12 月 14 日宣布了新结构晶体管“VTFET(垂直传输场效应晶体管)”。VTFET 是与美国纽约奥尔巴尼纳米技术中心的两家公司合作开发的。  半导体中,晶体管是横向排列,电流横向流动,但在 VTFET 中,晶体管是纵向形成的,电流也纵向流动。采用这样的结构,与目前主流的小型化FinFET(Fin Field-Effect Transistor)相比,有望实现两倍的性能或降低85%的功耗。随着VTFET的实现,两家公司都将实现一款无需充电即可持续运行一周以上的智能手机,并且能够以更少的电力进行加...

  IBM 和韩国三星电子于当地时间 12 月 14 日宣布了新结构晶体管“VTFET(垂直传输场效应晶体管)”。VTFET 是与美国纽约奥尔巴尼纳米技术中心的两家公司合作开发的。

  半导体中,晶体管是横向排列,电流横向流动,但在 VTFET 中,晶体管是纵向形成的,电流也纵向流动。采用这样的结构,与目前主流的小型化FinFET(Fin Field-Effect Transistor)相比,有望实现两倍的性能或降低85%的功耗。随着VTFET的实现,两家公司都将实现一款无需充电即可持续运行一周以上的智能手机,并且能够以更少的电力进行加密货币挖掘和数据加密等复杂处理,并减少二氧化碳排放。 . 此外,可以以更低的功率操作在 IoT(物联网)末端运行的设备。IBM和韩国三星电子于当地时间 12 月 14 日宣布了新结构晶体管“VTFET(垂直传输场效应晶体管)”。VTFET 是与美国纽约奥尔巴尼纳米技术中心的两家公司合作开发的。

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